Ученые ЛЭТИ приняли участие во всероссийском форуме «Микроэлектроника 2023» в Сочи

С 10 по 13 октября в Сочи в Парке науки и искусства «Сириус» проходил российский форум «Микроэлектроника 2023». Цель мероприятия – обсуждение актуальных вопросов разработки, производства и применения отечественных электронных компонентов и устройств. В рамках форума проходила конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули», в которой приняли участие ученые Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ».

На пленарном заседании конференции, которое было посвящено искусственному и гибридному интеллекту, с докладом на тему многоуровневых мемристивных структур для когнитивных вычислений выступила доктор физико-математических наук, доцент кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Наталья Владимировна Андреева.  

«Большим плюсом данного мероприятия стали плодотворные дискуссии со специалистами, работающими над реализацией высокопроизводительных вычислений, учеными, разрабатывающими теоретические и практические основы ресурсоэффективных систем искусственного интеллекта, а также отечественными производителями нейронных процессоров. Это позволило мне сформировать представление о текущем состоянии развития исследований в области искусственного интеллекта, найти новые пути для реализации своих идей и продвинуться в понимании основных трендов развития отечественных электронных платформ искусственного интеллекта. Приглашение выступить в качестве докладчика дало возможность представить результаты исследований нашей научной группы и позволило понять, что плоды нашей работы могут быть полезны для развития отечественной микроэлектроники», - пояснил доцент кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Наталья Владимировна Андреева.

На секции о нейроморфных вычислениях и искусственном интеллекте доктор технических наук, профессор кафедры МНЭ СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Евгений Адальбертович Рындин рассказал про аналоговые нейронные и синаптические КМОП-элементы с цифровым управлением.

В завершающий день форума состоялся круглый стол, посвященный широкозонным полупроводниковым материалам для электроники, их состоянию и перспективе развития. Его участниками стали кандидат технических наук, директор ИЦ ЦМИД Алексей Валентинович Афанасьев и доктор физико-математических наук, профессор кафедры МНЭ СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Василий Иванович Зубков.

«Мое выступление и последующее обсуждение были посвящены теме карбида кремния. В частности, мы говорили о синтезе этого полупроводникового материала, о его использовании в силовой электронике, а также о компаниях, занимающихся технологиями производства карбида кремния. Особое внимание было уделено компетенциям ЛЭТИ в данной области. Вместе с коллегами мы обсудили перспективы развития, создания новых фабрик и заводов для производства приборов той же самой силовой электроники на карбиде кремния, и чем в этой работе можем быть полезен наш вуз», - отметил директор ИЦ ЦМИД Алексей Валентинович Афанасьев

В деловой части программы форума также приняла участие кандидат технических наук, проректор по международной деятельности СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Анастасия Андреевна Минина. Совместно с вузами Египта, Малайзии и Индии ЛЭТИ реализует образовательные и научные проекты в области новой электроники.

Организаторами форума выступили АО «НИИ молекулярной электроники» и АО «НИИ микроэлектронной аппаратуры «Прогресс»» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и высшего образования Российской Федерации.